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No Patent No Titel
1 DE102005026408B3 Verfahren zur Herstellung einer Stoppzone in einem Halbleiterkörper und Halbleiterbauelement mit einer Stoppzone
2 DE102005007599B3 Verfahren zur Herstellung einer Feldstoppzone
3 DE10245089B4 Dotierverfahren und Halbleiterbauelement
4 DE10316222B3 Verfahren zur Herstellung eines robusten Halbleiterbauelements und damit hergestelltes Halbleiterbauelement
5 DE10324100A1 Verfahren zur Herstellung eines robusten Halbleiterbauelements
6 DE10245091B4 Verfahren zur Herstellung einer dünnen Halbleiterbauelementstruktur
7 DE19908399B4 Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtdioden oder Thyristoren mit Emitterkurzschlusstruktur
8 DE10245089A1 Dotierverfahren und Halbleiterbauelement
9 DE10245091A1 Verfahren zur Herstellung einer dünnen Halbleiterbauelementstruktur
10 DE10243758A1 Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Stoppzone in einem Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement mit einer vergrabenen Stoppzone
11 EP1332518 INDUKTIVITÄTSSTRUKTUR IN INTEGRIERTER SCHALTUNG UND ZERSTÖRUNGSFREIE ÄTZTIEFENMESSUNG
12 DE10206581A1 Mikroelektronik durch Teilchenstrahltechnik
13 DE19908399A1 Mehrschichtdioden sowie Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtdioden
14 DE19860581A1 Halbleiterelement und Verfahren zur Herstellung
15 DE19920757A1 Nonlineare Schaltelemente auf IC's
16 DE4244822C2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
17 DE4223914C2 Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke
18 DE4136511C2 Verfahren zur Herstellung einer Si/FeSi2-Heterostruktur
19 DE4223914A1 Verfahren zum Herstellen eines vertikalen Leistungsbauelementes mit reduzierter Minoritätsträgerlebensdauer in dessen Driftstrecke
20 DE4204436A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen aus dünnen Folien
21 DE4136511A1 Verfahren zur Herstellung eienr Si/FeSi2-Heterostruktur
22 DE4035628A1 Verfahren zur Erzeugung von pn-Übergängen in Siliziumträgern
23 DE4039104A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
24 DE4013626C1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
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