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No Patent No Titel
1 DE102004011234B4 Verfahren zur Verringerung der Zündempfindlichkeit eines Thyristors
2 DE102006022126A1 Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelementes, Verfahren zum Herstellen eines Thyristors, Verfahren zum Herstellen eines Drain-Extended-MOS-Feldeffekttransistors, elektronisches Bauelement, Drain-Extended-MOS-Feldeffekttransistor, elektronische Bauelement-Anordnung
3 EP1652225 HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER ORGANISCHEN ANTIREFLEXBESCHICHTUNG (ARC) UND VERFAHREN DAFÜR
4 DE60203394T2 TRÄGER MIT INTEGRIERTER ABSCHEIDUNG VON GASABSORBIERENDEM MATERIAL ZUR HERSTELLUNG VON MIKROELEKTRONISCHEN, MICROOPTOELEKTRONISCHEN ODER MIKROMECHANISCHEN BAUELEMENTEN
5 DE10344592B4 Verfahren zum Einstellen der Durchbruchspannung eines Thyristors mit einer Durchbruchsstruktur
6 EP1592055 Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleiteranordnung
7 DE102004011234A1 Verfahren zur Einstellung der Zündempfindlichkeit eines Thyristors
8 DE102004009087A1 Verfahren zum Einstellen der Durchbruchspannung eines Thyristors
9 DE10344592A1 Verfahren zum Einstellen der Durchbruchspannung eines Thyristors
10 EP1410433 TRÄGER MIT INTEGRIERTER ABSCHEIDUNG VON GASABSORBIERENDEM MATERIAL ZUR HERSTELLUNG VON MIKROELEKTRONISCHEN, MICROOPTOELEKTRONISCHEN ODER MIKROMECHANISCHEN BAUELEMENTEN
11 EP1440464 IGBT MIT SCHNELLEM PUNCH-THROUGH MIT GATESTEUERBAREM DI/DT UND VERRINGERTER EMI WÄHREND DES INDUKTIVEN AUSSCHALTENS
12 EP1422753 HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EINEN ANNEAL-WAFER UND ANNEAL-WAFER
13 DE10207339A1 Verfahren zur Reduzierung der Beweglichkeit freier Ladungsträger in einem Halbleiterkörper
14 EP1297567 WASSERSTOFFIMPLANTATION F R EINE PUFFERZONE EINES PUNCH-THROUGH-NICHT-EPI-IGBT
15 EP1125322 VERFAHREN ZUR SELBSTJUSTIERENDEN ABSTIMMUNG VON THYRISTOREN MIT FOLGEZÜNDUNG
16 DE19847368A1 Bipolartransistor mit Heteroübergang und Verfahren zu seiner Herstellung
17 DE19640212C2 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
18 DE19640212A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
19 DE4444638A1 Halbleiter-Schaltvorrichtung
20 DE4009675C2 Verfahren zur Herstellung eines feldgesteuerten Thyristors und damit hergestellter Thyristor mit stabiler Stehspannungscharakteristik
21 DE4104938C2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
22 DE3405549C2 Verfahren zur Herstellung eines überspannungsgeschützten Thyristors
23 DE3742638C2 Verfahren zum Herstellen eines GTO-Thyristors
24 DE3941932A1 Verfahren zum Herstellen von anodenseitigen Kurzschlüssen in Thyristoren
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