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1 DE102006030261A1 Drain/Source-Erweiterungsstruktur eines Feldeffekttransistors mit reduzierter Bordiffusion
2 DE102006030225A1 Verfahren zum Herstellen eines Trench-Transistors
3 DE102006030262A1 Verfahren zum Strukturieren von Gateelektroden durch Reduzieren der Seitenwandwinkel einer Maskenschicht
4 DE102006030268A1 Verfahren zum Verringern einer Rauigkeit einer Halbleiteroberfläche
5 DE102006057378A1 Halbleiterbauelement mit fixierten Kanalionen
6 DE102006025408A1 Verfahren zur Steigerung des Transistorsleitungsvermögens durch Dotierstoffaktivierung nach der Silizidierung
7 DE102006022508A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer in einer Doppelgrabenstruktur angeordneten metallischen Gateelektrode
8 DE112005002630T5 Verfahren zum Herstellen einer vollständig silizidierten Gateelektrode
9 DE112005002302T5 Metallgate-Transistoren mit epitaktischen Source- und Drainegionen
10 DE102006045581A1 Halbleiterbauelement mit einem Trench-Gate und Verfahren zu seiner Fertigung
11 DE102006059427A1 Verfahren zum Ausbilden einer komprimierten Kanalschicht eines PMOS-Bauelements unter Verwendung eines Gateabstandshalters und ein durch selbiges hergestelltes PMOS-Bauelement
12 DE102006059014A1 Halbleiteranordnungen und Verfahren zur Herstellung derselben
13 DE112005001593T5 Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung mit einer High-K-Gate-Dielektrikumschicht und einer Metall-Gateelektrode
14 DE112005001828T5 Planarisieren einer Halbleiterstruktur zum Ausbilden von Austauschmetallgates
15 DE102006041426A1 Verfahren zur Herstellung eines Transistors und Verfahren zur Herstellung einer Speichervorrichtung
16 DE102006045126A1 Verfahren zur Herstellung einer Anschlusselektrode für zwei übereinander angeordnete Halbleiterzonen
17 DE112004002638T5 Seitenwandabstandshalter mit geringer Verspannung in integrierter Schaltungstechnologie
18 DE112004002640T5 Damaszener-Tri-Gate-FinFET
19 DE112004002633T5 Schmalkörper-Damaszener-Tri-Gate-FinFET mit gedünntem Körper
20 DE112004002641T5 Verfahren zur Herstellung eines verformten FinFET-Kanals
21 DE112004002107T5 Selbstjustiertes Damaszener-Gate
22 DE112004002608T5 Leistungshalbleitervorrichtungen und Herstellungsverfahren
23 DE112004002409T5 Verfahren zum Verbessern der Transistorleistung durch Reduzieren des Salizidgrenzflächenwiderstandes
24 DE112004000578T5 Verfahren zur Herstellung eines Gates in einem Finfet-Bauelement und Dünnen eines Stegs in einem Kanalgebiet des Fifet-Bauelements
25 DE112004000254T5 Verbessertes Funktionsverhalten in Flash-Speichereinrichtungen
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