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1 DE102006030266A1 Verringern der Kontamination von Halbleitersubstraten während der Metallisierungsbearbeitung durch Bereitstellen einer Schutzschicht am Substratrand
2 DE102005052053B4 Verfahren zur Herstellung einer Ätzstoppschicht für eine Metallisierungsschicht mit verbesserter Ätzselektivität und besserem Einschlussverhalten
3 DE102006025405A1 Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich dicken Metallleitungen und Verfahren zur Herstellung
4 DE112004003004T5 Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
5 DE102006039001A1 Verfahren zum Reduzieren von Metall, mehrschichtige Verbindungsstruktur und Herstellungsverfahren dafür, und Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
6 DE112005001961T5 Integrierte Hartmaske mit niedrigem K-Wert
7 DE102006006570A1 Verfahren zur Herstellung von Anordnung von Leitern auf Halbleiterbauelementen
8 DE102006004429A1 Halbleiterbauelement mit einem Metallisierungsschichtstapel mit einem porösen Material mit kleinem
9 DE102006057999A1 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Bauteils
10 DE102005057076A1 Technik zum Verbessern der Haftung von Metallisierungsschichten durch Vorsehen von Platzhalterkontaktdurchführungen
11 DE102005057057A1 Verfahren zur Herstellung einer isolierenden Deckschicht für eine Kupfermetallisierungsschicht unter Anwendung einer Silanreaktion
12 DE102005057075A1 Halbleiterbauelement mit einer Kupferlegierung als Barrierenschicht in einer Kupfermetallisierungsschicht
13 DE112005001489T5 Atomlagenabgeschiedene Tantal enthaltende Haftschicht
14 DE602004004483T2 Verfahren zur Bildung einer Doppeldamaszener-Metallzwischenverbindung
15 DE102006050505A1 Elektronische Verschaltungen und Verfahren zur Herstellung derselben
16 DE102005038121B3 Verfahren zur Integration funktioneller Nanostrukturen in mikro- und nanoelektrische Schaltkreise
17 DE102005046975A1 Technik zur Herstellung einer kupferbasierten Metallisierungsschicht mit einer leitenden Deckschicht
18 DE102005035740A1 Verfahren zur Herstellung einer isolierenden Barrierenschicht für eine Kupfermetallisierungsschicht
19 DE112004001540T5 Erzeugen von Sätzen maßgeschneiderter Laserimpulse
20 DE112004001530T5 Versiegelte Poren in Damascene-Strukturen mit Low-k-Material
21 DE112004001527T5 Verfahren und Lasersysteme zur Verbindungsbearbeitung unter Verwendung von Laserimpulsen mit speziell zugeschnittenen Leistungsprofilen
22 DE102005028629A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
23 DE102005034667A1 Einkapseln von Leiterbahnen von Halbleiter-Einrichtungen
24 DE102005040217A1 Halbleiterchip-Herstellungsverfahren, Halbleiterchip, Halbleiterbauteil-Herstellungsverfahren und Halbleiterbauteil
25 DE112004000396T5 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterkomponente mit einer barrierenschichtausgekleideten Öffnung
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