PatentDe  


No Patent No Titel
1 DE102006004796B4 Verfahren zur Herstellung eines BiCMOS-Bauelements, umfassend ein erstes bipolares Bauelement und ein zweites bipolares Bauelement desselben Dotierungstyps
2 DE102006011708A1 Polykristalliner Widerstand und Verfahren zu dessen Herstellung
3 DE102006006782A1 Verfahren zum Behandeln von Designfehlern eines Layouts einer integrierten Schaltung
4 DE102006004796A1 Verfahren zur Herstellung eines BiCMOS-Bauelements, umfassend ein erstes bipolares Bauelement und ein zweites bipolares Bauelement desselben Dotierungstyps, und BiCMOS-Bauelement, umfassend ein erstes bipolares Bauelement und ein zweites bipolares Bauelement desselben Dotierungstyps
5 DE102005056262A1 Verfahren zum Herstellen einer Schichtanordnung, Verfahren zum Herstellen eines elektrischen Bauelementes, Schichtanordnung und elektrisches Bauelement
6 DE102005044142B3 Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Füllung in einem Graben eines Halbleitersubstrats und Grabenkondensator
7 DE102006001665A1 Halbleiterschaltung und Verfahren zu deren Herstellung
8 DE102004039803B4 Verfahren zur Herstellung einer Leitbahnanordnung mit erhöhter kapazitiver Kopplung sowie zugehörige Leitbahnanordnung
9 DE102004041893B4 Verfahren zur Herstellung von Speicherbauelementen (PCRAM) mit Speicherzellen auf der Basis einer in ihrem Phasenzustand änderbaren Schicht
10 DE102005011150A1 Verfahren zum Entwurf einer integrierten Schaltung
11 DE112004000877T5 Verfahren zur Herstellung von Widerstandsstrukturen
12 DE102004046483A1 Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur mit Metall-Isolator-Übergängen auf einem halbleitenden Substrat
13 DE102004038063A1 Verfahren zur Herstellung einer Standardzellenanordnung und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
14 DE102004039803A1 Verfahren zur Herstellung einer Leitbahnanordnung mit erhöhter kapazitiver Kopplung sowie zugehörige Leitbahnanordnung
15 DE102004042167A1 Verfahren zum Ausbilden einer Halbleiterstruktur, die Transistorelemente mit unterschiedlich verspannten Kanalgebieten umfasst
16 DE102004041893A1 Verfahren zur Herstellung von Speicherbauelementen (PCRAM) mit Speicherzellen auf der Basis einer in ihrem Phasenzustand änderbaren Schicht
17 DE102004033825A1 Verfahren zur Herstellung einer Kondensatoranordnung sowie zugehörige Kondensatoranordnung
18 DE102004031742A1 Verfahren zur Herstellung einer sublithographischen Kontaktstruktur in einem Halbleiterbauelement
19 DE102004024665A1 Verfahren zum Herstellen von dielektrischen Mischschichten und kapazitives Element und Verwendung derselben
20 DE102004022176A1 Verfahren zur Herstellung von passiven Bauelementen auf einem Substrat und mittels eines derartigen Verfahren hergestelltes Bauteil
21 DE102004010691A1 Verfahren und Vorrichtung zur netzlistenbasierten Gruppierung von Standardzellen beim Place & Route
22 DE102004025413A1 Verfahren zum Ausbilden eines Kondensators und Kondensator
23 DE102004024784A1 Verfahren zur Anordnung von Schaltungselementen in Halbleiterbauelementen
24 DE19958162A1 Verfahren zur Herstellung monolithisch integrierter Halbleiterbauelemente
25 DE19945405A1 Verfahren zum Herstellen einer integrierten Schaltung
1

IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com