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1 DE68917614T2 Verfahren zum Ausrichten und zur Herstellung eines Verbindungszapfens.
2 DE4240506A1 Verfahren zur Herstellung von Leitbahnen über Grabengebiete von integrierten Halbleiterschaltungen, wobei zur Strukturierung Lötstoppresist eingesetzt wird
3 DE4319089A1 Verfahren zur Wolfram-Kontaktlochauffüllung durch ganzflächige Wolfram-Abscheidung mit reduzierter Schichtdicke und Rückätzung mit inversem Loading-Effekt
4 DE68914099T2 Flankenabschrägen von Löchern durch dielektrische Schichten zur Erzeugung von Kontakten in integrierten Schaltkreisen.
5 DE4207916C2 Verbindungsstruktur einer integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung
6 DE4342702A1 Verfahren zur Erzeugung eines Durchkontaktstiftes in einem Halbleiterbauelement
7 DE4235919A1 Verfahren zur Herstellung von Dünnfilm-Schichtschaltungen
8 DE4325706A1 Halbleiteranordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
9 DE4326211A1 Chemisches Bedampfungsverfahren zum Beschichten von Halbleiterwafer mit Titansilicid
10 DE4311509A1 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements
11 DE9116741U1 Selbstjustierte Kontaktlochanordnung
12 DE4310955A1 Verfahren zum Bearbeiten eines Halbleiterwafers
13 DE68906133T2 Programmierbare schmelzbare Verbindungsstruktur, die Plasmametallätzen erlaubt.
14 DE68906034T2 Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung.
15 DE4311484A1 Verfahren zur Bildung einer leitfähigen Struktur auf der Oberfläche eines Substrats
16 DE4306322A1 Leiterschichtverbindungsstruktur einer Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
17 DE4301451A1 Verfahren zur Bildung eines leitfähigen Stopfens in einer Isolierschicht
18 DE4214091C2 Trockenätzverfahren für eine auf einem Substrat gebildete Kupferschicht
19 DE4238080A1 Verbindungsstruktur für leitende Schichten einer Halbleitervorrichtung und ein Verfahren zu deren Herstellung
20 DE4226200C1 Verfahren zur Herstellung von Luftbrücken in IC's
21 DE4234698A1 Integrierte Schaltung mit Leitern auf mehreren Niveaus sowie Verfahren zu deren Herstellung
22 DE4221511A1 Verfahren zum Bilden von Bitstellenleitungen auf einem Halbleiter-Wafer
23 DE4214091A1 Trockenätzverfahren für eine Verbindungsschicht
24 DE4207916A1 Verbindungsstruktur einer integrierten Halbleiterschaltungseinrichtung und Verfahren zur Herstellung dieser
25 DE4200809A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
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