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1 DE69837585T2 Verbesserte Techniken zur Bildung elektrisch programmierbarer Sicherungen auf einer integrierten Schaltung
2 DE102005023460A1 Verfahren zum Betreiben eines MOSFET als Antifuse
3 DE102005022600A1 Integrierter Schaltkreis mit Abgleichelementen und Verfahren zu seiner Herstellung
4 DE102006005674A1 Antischmelzsicherungsschaltung und Antischmelzsicherungsverfahren
5 DE102005005985A1 Integrierte Schaltungsanordnung mit metall-programmierbaren Metall-Layern zum Bereitstellen einer Identifikationsangabe und Verfahren zum Herstellen
6 DE102004023462B4 Verfahren zur Ausbildung von Leiterbahnstrukturen auf Halbleiterbauelementen
7 DE102004016920B4 Verfahren zum Schalten einer Spannungsversorgung von Spannungsdomänen einer Halbleiterschaltung und entsprechende Halbleiterschaltung
8 DE102005032280A1 Silberinsel-Antifuse
9 DE102004063926A1 Konfigurierbare Treiberzelle eines logischen Zellenfeldes
10 DE102004023462A1 Halbleiterchip mit Metallisierungsebenen und Verfahren zur Ausbildung von Leiterbahnstrukturen
11 DE102004021541A1 Passivierung von Brennstrecken
12 DE102005019702A1 Schmelzsicherungsanordnung und Herstellungsverfahren
13 DE102004016920A1 Verfahren zum Schalten einer Spannungsversorgung von Spannungsdomänen einer Halbleiterschaltung und entsprechende Halbleiterschaltung
14 DE102004014472A1 Architektur von Funktionsblöcken und Verdrahtungen in einem strukturierten ASIC und konfigurierbare Treiberzelle eines logischen Zellenfeldes
15 DE102005014508A1 Schaltvorrichtung für konfigurierbare elektrische Verbindung
16 DE102004014925A1 Elektronische Schaltkreisanordnung
17 DE69732291T2 VERFAHREN UND APPARAT ZUM PROGRAMMIEREN VON ANTI-SICHERUNGEN MITTELS EINER INTERN GENERIERTEN PROGRAMMIERSPANNUNG
18 DE102004025108A1 Antifuse und Verfahren zum Ausbilden einer Antifuse
19 DE69632661T2 Verfahren zum Trimmen einer Sicherung in einer integrierten Halbleiterschaltung
20 DE102004004596A1 Programmieren von Antifuses mit unscharf vorgegebener Obergrenze für den Programmierstrom
21 DE69818227T2 ANTISICHERUNG GEGRUNDET AUF EINEM SILICID-POLYSILICIUM-BIPOLARTRANSISTOR
22 DE69620022T2 LASER-SICHERUNGSBANKSTRUKTUR
23 DE69615776T2 HERSTELLUNGSMETHODE EINER DURCH EINE ANTI-SICHERUNG PROGRAMMIERBAREN HALBLEITERANORDNUNG
24 DE69617169T2 ANTISICHERUNGSSTRUKTUR MIT REDUZIERTEM LECKSTROM UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
25 DE69610737T2 Bondflächen-Option für integrierte Schaltungen
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