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No Patent No Titel
1 DE102005051573B4 MIM/MIS-Struktur mit Praseodymtitanat als Isolatormaterial
2 DE102006007331A1 Mehrlagen-Kapazitäts-Anordnung und Verfahren zum Herstellen derselben
3 DE102007003450A1 Halbleiterbauelement mit verschiedenen Kondensatoren und Herstellungsverfahren
4 DE102005047111B3 Verfahren zur Herstellung eines MIM-Kondensators
5 DE102005056906A1 Integrierte Schaltungsanordnung mit in Reihe geschalteten Kondensatoren und Verwendung
6 DE102005047409A1 Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur
7 DE102005046734A1 Halbleiterbauelement mit integrierter Kapazitätsstruktur
8 DE102006039733A1 Kreuzgekoppeltes Induktorpaar, das in einer integrierten Schaltung gebildet ist
9 DE102005038219A1 Integrierte Schaltungsanordnung mit Kondensator in einer Leitbahnlage und Verfahren
10 DE102006027586A1 Integrierte Schaltungen mit Induktionsspulen in mehreren leitenden Schichten
11 DE102005030638A1 Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
12 DE102005030585A1 Halbleiterbauelement mit einem vertikalen Entkopplungskondensator
13 DE102005051573A1 MIM/MIS-Struktur mit Praseodymtitanat oder Praseodymoxid als Isolatormaterial
14 DE102005004433B4 Halbleiterbauelement mit integriertem Kondensator und Herstellungsverfahren
15 DE102005014929A1 Ein induktives Bauteil für integrierte Schaltkreise
16 DE102005004433A1 Halbleiterbauelement mit integriertem Kondensator und Herstellungsverfahren
17 DE102006000615A1 Materialien mit hoher Dielektrizitätskonstante
18 DE102006000614A1 Verfahren zur Steuerung von Grenzflächeneigenschaften für Kondensatoren unter Verwendung einer Metall-Flash-Schicht
19 DE102004063560A1 Kapazitive Struktur und Verfahren zur Herstellung einer kapazitiven Struktur
20 DE102005038526A1 Integriertes Schaltkreisbauelement und zugehöriges Herstellungsverfahren
21 DE102005031678A1 Integriertes Halbleiterschaltkreisbauelement, Kondensator und Herstellungsverfahren hierfür
22 DE102005035346A1 Verlustleistungsoptimierter Hochfrequenz-Koppelkondensator und Gleichrichterschaltung
23 DE102005031389A1 Widerstandselement mit einem gleichförmigen, von Verfahrensschwankungen unabhängigen Widerstandswert; Integrierte Halbleitervorrichtung mit einem solchen Widerstandselement, sowie Herstellungsverfahren dafür
24 DE102005021803A1 Kondensatorstruktur mit stabilisiertem Praseodymoxid-Dielektrikum
25 DE102004062955A1 Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
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