PatentDe  


No Patent No Titel
1 DE102006016530A1 Speicherkondensator und Verfahren zum Herstellen eines solchen Speicherkondensators
2 DE102005057255B4 Speicherkondensator und Verfahren zum Herstellen eines solchen Speicherkondensators
3 DE102006013246A1 Speicherkondensator für Halbleiterspeicherzellen und Verfahren zur Herstellung eines Speicherkondensators
4 DE102005057255A1 Speicherkondensator und Verfahren zum Herstellen eines solchen Speicherkondensators
5 DE102006007043A1 Dynamischer RAM-Speicher und Verfahren zum Herstellen desselben
6 DE102004043902B4 Feldeffekttransistor mit einem Anschlussdielektrikum und DRAM-Speicherzelle
7 DE102006038532A1 Halbleiter-Speicherzellenfeld mit selbstjustierenden rückgeätzten Gate-MOS-Transistoren und Verfahren zu dessen Herstellung
8 DE102005034387A1 Trench-DRAM-Halbleiterspeicher mit reduziertem Leckstrom
9 DE102005062965A1 Kondensator mit dielektrischer Nanokomposit-Schicht und Verfahren zur Herstellung desselben
10 DE102005024951A1 Halbleiterspeicherbauelement
11 DE102005020897A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und ein entsprechendes Halbleiterbauelement
12 DE102006000613A1 DRAM mit High-K-Dielektrikum-Speicherkondensator und Verfahren zum Herstellen desselben
13 DE102005020079A1 Hybride Speicherzelle für DRAM
14 DE102004043857B3 DRAM-Zellenpaar und DRAM-Speicherzellenfeld mit Stack- und Trench-Speicherzellen sowie Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Speicherzellenfeldes
15 DE102004043902A1 Feldeffekttransistor mit einem Anschlussdielektrikum
16 DE102004036461A1 Elektronische Datenspeichervorrichtung für hohen Lesestrom
17 DE102004023985A1 Verfahren zum Herstellen einer Wortleitung eines Speicherbausteins
18 DE102004024552B3 Speicherzellenanordnung mit einer Doppel-Speicherzelle
19 DE102005018735A1 Halbleiter-Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiter-Bauelements
20 DE102004032477A1 Transistor einer nicht flüchtigen Speichervorrichtung mit einer dielektrischen Gatestruktur, welche fähig zum Einfangen von Ladungen ist, und ein Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung
21 DE102004060891A1 Tiefgrabenkondensator mit vergrabener Elektrodenplatte und Isolationskragen
22 DE102005001904A1 Halbleiterspeicher, Halbleiterbauteil und Verfahren zu deren Herstellung
23 DE102004055463A1 Elektronische Vorrichtung einschließlich Elektroden mit darauf befindlichen Isolier-Spacern und verwandte Verfahren
24 DE102004021636A1 Selbstausgerichtetes vergrabenes Kontaktpaar und Verfahren zum Ausbilden desselben
25 DE102004026000A1 DRAM-Zellenfeld und Halbleiterspeichereinrichtung mit vertikalen Speicherzellen und Verfahren zur Herstellung eines DRAM-Zellenfeldes und eines DRAMs
1

IPC
A Täglicher Lebensbedarf
B Arbeitsverfahren; Transportieren
C Chemie; Hüttenwesen
D Textilien; Papier
E Bauwesen; Erdbohren; Bergbau
F Maschinenbau; Beleuchtung; Heizung; Waffen; Sprengen
G Physik
H Elektrotechnik

Anmelder
Datum

Patentrecherche

Copyright © 2008 Patent-De Alle Rechte vorbehalten. eMail: info@patent-de.com