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No Patent No Titel
1 DE102006026718A1 Verfahren zum Erzeugen einer Speichervorrichtung mit mindestens einer Speicherzelle, insbesondere einer Phasenwechselspeicherzelle und Speichervorrichtung
2 DE102006026949A1 Speicherbauelement, insbesondere Phasenwechselspeicherbauelement mit wahlfreiem Zugriff mit Transistor, und Verfahren zum Herstellen eines Speicherbauelements
3 DE102006023609A1 Programmierbare resistive Speicherzelle mit einer programmierbaren Widerstandsschicht
4 DE102007017252A1 Phasenwechselspeicher
5 DE102006023608A1 Programmierbare resistive Speicherzelle mit einer programmierbaren Widerstandsschicht
6 DE102006020179A1 Halbleiterwiderstandsspeicherbauelement und Herstellungsverfahren
7 DE102006011461A1 Elektrische Struktur mit einer Festkörperelektrolytschicht, Speicher mit einer Speicherzelle und Verfahren zum Herstellen der elektrischen Struktur
8 DE102005035445B4 Nichtflüchtige, resistive Speicherzelle auf der Basis von Metalloxid-Nanopartikeln sowie Verfahren zu deren Herstellung und entsprechende Speicherzellenanordnung
9 DE102006011976A1 Verfahren zum Bilden einer Speichervorrichtung mit einer Vielzahl von Speicherzellen, insbesondere Phasenwechselspeicherzellen, und Speichervorrichtung
10 DE102005014645B4 Anschlusselektrode für Phasen-Wechsel-Material, zugehöriges Phasen-Wechsel-Speicherelement sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
11 DE102005054931B3 Verfahren zur Herstellung einer resistiv schaltenden Speicherzelle
12 DE102007001085A1 Resistives Mehrfachzustands-Speicherelement, resistive Mehrfachbit-Speicherzelle, Betriebsverfahren davon und das Speicherelement verwendendes Datenverarbeitungssystem
13 DE102006041849A1 Elektrisch wiederbeschreibbares nicht-flüchtiges Speicherelement und Verfahren zu dessen Herstellung
14 DE102005040557A1 Integrierte Speicherschaltung mit einem resistiven Speicherelement sowie ein Verfahren zur Herstellung einer solchen Speicherschaltung
15 DE102006028971A1 Integriertes Schaltkreisbauelement und Phasenänderungsspeicherzelle mit einer vertikalen Diode und Herstellungsverfahren
16 DE102005035445A1 Nichtflüchtige, resistive Speicherzelle auf der Basis von Metalloxid-Nanopartikeln sowie Verfahren zu deren Herstellung und entsprechende Speicherzellenanordnung
17 DE102005031517A1 Elektronisches Bauelement in Hybridbauweise mit hohem Skalierungspotential und Verfahren zur Herstellung desselbigen
18 DE102005031394A1 Aufbau und Verfahren zur Herstellung von Phasenwechselspeichern mit bestimmten Schalteigenschaften
19 DE102005014645A1 Anschlusselektrode für Phasen-Wechsel-Material, zugehöriges Phasen-Wechsel-Speicherelement sowie zugehöriges Herstellungsverfahren
20 DE102005012047A1 Festkörperelektrolyt-Speicherelement und Verfahren zur Herstellung eines solchen Speicherlements
21 DE102005005325A1 Verfahren zur Herstellung einer resistiv schaltenden nicht-flüchtigen Speicherzelle
22 DE102005005938A1 Resistives Speicherelement mit verkürzter Löschzeit
23 DE102005001902A1 Verfahren zur Herstellung einer sublithographischen Kontaktstruktur in einer Speicherzelle
24 DE102005018344A1 Schaltvorrichtung für rekonfigurierbare Zwischenverbindung und Verfahren zum Herstellen derselben
25 DE102005003675A1 CBRAM-Zelle mit einem reversiblen Leitungsbrücken-Mechanismus
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