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No Patent No Titel
1 DE102005051332B4 Halbleitersubstrat, Halbleiterchip, Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
2 DE102005051332A1 Halbleitersubstrat, Halbleiterchip, Halbleiterbauteil und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils
3 DE69534487T2 Herstellungsverfahren für Kompressionshalbleiterbauelement
4 DE10393777T5 Halbleitervorrichtung und elektrischer Leistungswandler, Ansteuerungsinverter, Mehrzweckinverter und Höchstleistungs-Hochfrequenz-Kommunikationsgerät unter Verwendung der Halbleitervorrichtung
5 DE69333592T2 Methode zur Herstellung eines Dünnschicht-Transistors aus Polysilizium
6 DE10334819A1 Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung
7 DE69527827T2 Verfahren zur Herstellung einer Dünnschichtelektrode eines Halbleiterbauteils
8 DE19833237A1 Halbleiterdünnfilm und Halbleitergerät
9 DE19825081A1 Halbleiterdünnfilm und Halbleitervorrichtung
10 DE69225520T2 Gegenstand, beinhaltend eine in Gitterschichten fehlangepasste Halbleiter-Heterostruktur
11 DE69019274T2 Herstellung von aus polykristallinem Silizium bestehenden Dünnschichten und damit hergestellte Transistoren.
12 DE68917848T2 Halbleiteranordnung.
13 DE3885436T2 Halbleiterkristallstruktur und deren Herstellungsverfahren.
14 DE3485817T2 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung mit einer aktiven Zone aus polykristallinem Silicium.
15 DE3340584C2 Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen des Bauelements
16 DE3939473C2 Dünnschichtenanordnung mit mindestens einer Halbleiterschicht und Verfahren zu deren Herstellung
17 DE3317954C2 Halbleiterbauelement
18 DE3617927C2 Halbleiterbauelement
19 DE3347997C2 Halbleiterbauelement vom Übergangstyp
20 DE3709134C2 Halbleiterbauelement
21 DE3939473A1 Dünnschicht-Halbleiter und Verfahren zu dessen Herstellung
22 DE3821775A1 Halbleiterschichtstruktur für Laserdiode mit vergrabener Heterostruktur
23 DE3709134A1 Halbleiterbauelement
24 DE3331601C2 Halbleiterbauelement
25 DE3617927A1 Halbleiterelement
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