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No Patent No Titel
1 DE10213534B4 Halbleiteraufbau mit Schaltelement und Randelement
2 DE10036208B4 Halbleiteraufbau mit vergrabenem Inselgebiet und Konaktgebiet
3 DE10338259B4 Halbleitereinrichtung
4 DE60024376T2 Feldeffekt-Halbleiteranordnung
5 DE102005039131A1 Halbleiterbauteil
6 DE10350160A1 Sperrschicht-Feldeffekttransistor mit hoher Druckbruchspannung und Verfahren zur Herstellung eines Sperrschicht-Feldeffektransistors
7 DE10338259A1 Halbleitereinrichtung
8 DE10161139B4 Halbleiteraufbau mit Schottky-Diode für Rückwärtsbetrieb
9 DE10213534A1 Halbleiteraufbau mit Schaltelement und Randelement
10 DE10161139A1 Halbleiteraufbau mit schottky-Diode für Rückwärtsbetrieb
11 DE10220359A1 Siliziumkarbidhalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren
12 DE10036208A1 Halbleiteraufbau mit vergrabenem Inselgebiet und Konaktgebiet
13 DE69420944T2 HALBLEITERVORRICHTUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
14 DE19644821C1 Steuerbare Halbleiterstruktur mit verbesserten Schalteigenschaften
15 DE69125983T2 TRANSISTOR MIT ELEKTRONEN HOHER BEWEGLICHKEIT
16 DE3850588T2 Supraleiterbauelement mit drei Anschlüsse und Halbleiterkopplung sowie einer Jonction-Gate-Struktur.
17 DE68917807T2 Speicheranordnung mit schwebendem Gate.
18 DE68909621T2 Ladungsverstärkerschaltung mit Junction-Feldeffekttransistor.
19 DE3882304T2 Mikrowellentransistor mit Doppelheteroübergang.
20 DE3934864A1 Verfahren zur Herstellung von FETs
21 DE3842863A1 Feldeffekttransistor und Verfahren zum Herstellen eines Feldeffekttransistors
22 DE3940201A1 Feldeffekttransistor mit durch Heteroübergang eingegrenztem Kanal
23 DE3828885A1 Feldeffekttransistor
24 DE3834063A1 Schottky-Gate-Feldeffekttransistor
25 DE3790294T1 Verfahren zur Herstellung eines selbst ausgerichteten MESFET
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