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No Patent No Titel
1 DE112005001434T5 MOS-gatterverknüpftes Leistungshalbleiter-Bauelement mit Source-Feldelektrode
2 DE10230674B4 Halbleiterkondensator und damit aufgebauter MOSFET
3 DE69929266T2 Methode zur Herstellung eines tiefen Grabens
4 DE69918219T2 Methode zur Verbesserung der Stöpsel-Leitfähigkeit
5 DE10230674A1 Halbleiterkondensator und damit aufgebauter MOSFET
6 DE10210044A1 Integrierte monolithische SOI-Schaltung mit Kondensator
7 DE69332427T2 Herstellungsmethode für Elektroden für Grabenkondensatoren
8 DE10116557A1 Integrierte, abstimmbare Kapazität
9 DE10126116A1 Integrierte, abstimmbare Kapazität
10 DE69425612T2 Schnellaufladender MOS-Kondensator für hohe positive oder negative Spannungen
11 DE69606932T2 MOS-Kapazität für Halbleiteranordnung
12 DE69227542T2 Speicher mit kapazitiver EEPROM-Speicherzelle und Verfahren zum Lesen dieser Speicherzelle
13 DE69322891T2 Monolitischer Hochsspannungskondensator
14 DE69130263T2 Verfahren zum Herstellen von polykristallinem Silizium mit mikrorauher Oberfläche
15 DE19709007A1 Halbleitereinrichtung mit MOS-Kondensator und Herstellungsverfahren derselben
16 DE69122796T2 Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kondensator, wobei polykristallines Silizium mit mikrorauher Oberfläche verwendet wird
17 DE69026675T2 MIS-Kapazitätselement
18 DE3855097T2 Spannungsgesteuerter veränderlicher Kondensator und Oszillator
19 DE4447307A1 Schaltungsanordnung zur Verminderung der Spannungsabhängigkeit einer MOS-Kapazität
20 DE69024234T2 Kondensator für eine integrierte Schaltung
21 DE3915594C2 Kondensator, insbesondere für integrierte Halbleiterschaltungen
22 DE4002037A1 Kondensator und Spannungsmultiplizierer unter Verwendung des Kondensators
23 DE3933552A1 Kompensierter Kondensator für den Eingang eines Analog-/Digitalwandlers mit geschaltetem Kondensator
24 DE3915594A1 Halbleitervorrichtung
25 DE3812621A1 Verfahren zum Herstellen eines Grabenkondensators, beispielsweise für Speicherzellen
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