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1 DE60126577T2 Halbleiterlaservorrichtung mit einer aktiven Schicht aus InGaAs unter Kompressionsdruck, einer Sperrschicht aus GaAsP unter Dehnungsdruck, und einem Lichtwellenleiter aus InGaP
2 DE60311412T2 InP-basierte Hochtemperaturlaser mit InAsP-Quantenschachtschichten und Sperrschichten aus Gax(AIIn)1-xP
3 EP1437810 HALBLEITERLASERELEMENT UND LASERMODUL MIT DIESEM ELEMENT
4 DE60123185T2 Halbleiterlaservorrichtung mit niedrigerem Schwellstrom
5 DE602004001927T2 Heterostrukturen aus III-Nitrid-Halbleitermaterial für lichtemittierende Vorrichtungen
6 DE10335443B4 Quantentopfstruktur
7 DE60313140T2 QUANTEN-NANOZUSAMMENSETZUNGSHALBLEITERLASER UND QUANTEN-NANOZUSAMMENSETZUNGSARRAY
8 EP1792375 LEISTUNGSSTARKE INFRAROTE HALBLEITERDIODEN-LICHTEMISSIONSVORRICHTUNG
9 EP1787366 AUF NITRID BASIERENDE LASERDIODE UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER AUF NITRID BASIERENDEN LASERDIODE
10 EP1564854 Halbleiter-Lichtemissionsbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
11 EP1480304 QUANTEN-NANOZUSAMMENSETZUNGSHALBLEITERLASER UND QUANTEN-NANOZUSAMMENSETZUNGSARRAY
12 EP1760851 Optischer Halbleiterverstärker und integrierte optische Schaltung
13 DE10353389B4 Halbleiterlaser zur Lichtemission im MIR-Bereich
14 EP1220393 Halbleiterlaservorrichtung mit einer aktiven Schicht aus InGaAs unter Kompressionsdruck, einer Sperrschicht aus GaAsP unter Dehnungsdruck, und einem Lichtwellenleiter aus InGaP
15 EP1443616 Auf InP basierter Hochtemperatur Laser mit InAsP Quantumtöpfen und Gax(AIIN) 1-xP Barriereschichten
16 DE102004009531B4 Quanten-Kaskaden-Laser-Struktur
17 DE10324264B4 Quantendrahtemitter mit Intersubbandübergängen
18 DE69834415T2 LICHTEMITTIERENDES GALLIUMNITRIDHALBLEITERELEMENT MIT EINER AKTIVEN SCHICHT MIT MULTIPLEXQUANTENTROGSTRUKTUR UND HALBLEITERLASERLICHTQUELLENVORRICHTUNG
19 EP1182756 Halbleiterlaservorrichtung mit niedrigerem Schwellstrom
20 DE102006010277A1 Halbleitervorrichtung
21 EP1489708 Heterostrukturen aus III-Nitrid-Halbleitermaterial für lichtemittierende Vorrichtungen
22 EP1672757 Blaue und grüne Laserdioden mit Gallium Nitrid oder Indium Gallium Nitrid Mantelschicht
23 EP1667292 LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT AUS HALBLEITER DER GAN III-V-ZUSAMMENSETZUNG UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR
24 DE19927008B4 III-V-Halbleiterlaser-Bauelement
25 EP1022825 LICHTEMITTIERENDES GALLIUMNITRIDHALBLEITERELEMENT MIT EINER AKTIVEN SCHICHT MIT MULTIPLEXQUANTENTROGSTRUKTUR UND HALBLEITERLASERLICHTQUELLENVORRICHTUNG
26 EP1624544 Lichtemitierende nitrid Halbleitervorrichtung
27 DE102005005635A1 Strahlungsemittierendes optoelektronisches Bauelement mit einer Quantentopfstruktur und Verfahren zu dessen Herstellung
28 EP1602157 LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
29 EP1598909 Halbleitervorrichtung mit Quantumwell und Herstellungsverfahren
30 DE102004009531A1 Quanten-Kaskaden-Laser-Struktur
31 EP1555732 Nitriden Halbleiterlaserdiode und deren Herstellungsverfahren
32 EP1553670 Halbleiterbauelement mit einer Quantentopfstruktur mit doppelten Barriereschichten, Halbleiterlasergerät basierend auf dem Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren für das Halbleiterbauelement und das Halbleiterlasergerät.
33 EP1544968 Ultraviolett-Quantentopf-Laserdioden auf Basis von Gruppe-III-Nitriden
34 DE10361659A1 Verfahrem zum Herstellen einer epitaktischen Bauelementschichtenfolge und optoelektronischer Halbleiterchip
35 DE10355949A1 Quantenkaskadenlaser
36 DE10353389A1 Halbleiterlaser zur Lichtemission im MIR-Bereich
37 EP1523079 Halbleiterverbundelement und seine Herstellung, Halbleiterbauelement und seine Herstellung
38 DE69922427T2 Halbleiterlaser
39 EP1520329 NITRID HALBLEITERLASERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR LEISTUNGSVERBESSERUNG
40 DE10335443A1 Quantentopfstruktur
41 DE102004024611A1 Optisch gepumpte Halbleitervorrichtung
42 EP1496584 Nitridhalbleiterlaser und Herstellungmethode
43 EP0936709 Halbleiterlaser
44 DE69918975T2 InP-BASIERTER MQW-LASER
45 EP1456920 OBERFLÄCHENEMITTIERENDER LASER MIT VERTIKALEM RESONATOR MIT INDIUM IN DER AKTIVEN REGION
46 EP1455427 HALBLEITERLASERBAUELEMENT UND OPTISCHES PLATTENLAUFWERK
47 EP1453160 HALBLEITERELEMENT
48 DE10324264A1 Quantendrahtemitter
49 EP1075716 InP-BASIERTER MQW-LASER
50 EP1441426 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN HALBLEITERBAUELEMENTS, LICHTEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS, HALBLEITERBAUELEMENT, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ELEMENTS UND ELEMENT
51 DE69725783T2 Halbleiterlaser
52 DE10351394A1 Halbleiterlaservorrichtung
53 EP1394912 NITRIDHALBLEITERLASER
54 EP1389814 Lichtemitierende Halbleitervorrichtung
55 EP1385241 NITRID-HALBLEITERELEMENT
56 EP0814548 Halbleiterlaser
57 EP1341279 Langwelliges photonisches Bauelement mit GaAsSb Quantentopfschicht
58 EP1324444 Doppelnitrid Laserstruktur mit reduziertem thermischem Übersprach
59 EP1313187 NITRIDHALBLEITERBAUELEMENT
60 EP1306946 HALBLEITER-LICHTEMSSIONSELEMENT MIT GRUPPE-III-NITRIDVERBINDUNG
61 EP1291989 LICHTEMITTIERENDES NITRID-HALBLEITERBAUELEMENT UND OPTISCHE VORRICHTUNG DAMIT
62 DE10143956A1 Quantenkaskadenlaser
63 EP1250738 HALBLEITERLASERSTRUKTUR
64 DE10122072A1 Halbleiteremitterelement, Verfahren zum Herstellen eines Halbleiteremitterelementes und Verfahren zum Betreiben eines Halbleiteremitterelementes
65 EP1249906 Langwellige Laserdiode auf einem mit metamorphischer Pufferschicht modifiziertem Galliumarsenidwafer
66 DE10217304A1 Zuverlässigkeitssteigernde Schichten für VertikalresonatorOberflächenemissionslaser
67 EP1228557 LANGWELLIGER PSEUDOMORPHISCHER TYP I UND TYP II AKTIVE SCHICHTEN AUS INGANPASSB FÜR GASSYSTEME
68 EP1202410 Halbleiterlaser
69 EP1201012 HALBLEITERVORRICHTUNG AUS EINER QUATERNÄREN NITRIDVERBINDUNG DER GRUPPE III
70 EP1195866 Lichtemittierende Halbleitervorrichtung auf Basis von Nitrid Verbindungen
71 DE69801974T2 Halbleiterlaser
72 DE10129393A1 Halbleiterlaser mit variierter Breite der Quantenpotentialtöpfe
73 EP0920096 Halbleiterlaser
74 DE19941774A1 Oberflächenemittierender Diode Kaskade Laser
75 EP1071180 MULTIQUANTENTOPF-HALBLEITERLASER MIT N-TYP-MODULATIONSDOTIERUNG
76 DE19927008A1 Halbleiterlaser-Bauelement
77 DE69510590T2 Unipolarer Halbleiterlaser
78 DE69509962T2 Quantumwellhalbleiterlaser und Herstellungsverfahren
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