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No Patent No Titel
1 DE102006030262A1 Verfahren zum Strukturieren von Gateelektroden durch Reduzieren der Seitenwandwinkel einer Maskenschicht
2 DE102006030261A1 Drain/Source-Erweiterungsstruktur eines Feldeffekttransistors mit reduzierter Bordiffusion
3 DE102006030267A1 Nano-Einprägetechnik mit erhöhter Flexibilität in Bezug auf die Justierung und die Formung von Strukturelementen
4 DE102006030264A1 Transistor mit einem Kanal mit biaxialer Verformung, die durch Silizium/Germanium in der Gateelektrode hervorgerufen wird
5 DE102006030266A1 Verringern der Kontamination von Halbleitersubstraten während der Metallisierungsbearbeitung durch Bereitstellen einer Schutzschicht am Substratrand
6 DE112006000340T5 Datenprozessor, der für eine effiziente digitale Signalverarbeitung ausgebildet ist, und Verfahren für den Prozessor
7 DE102006009247B4 Verfahren zum Abschätzen der kristallinen Textur gestapelter Metallleitungen in Mikrostrukturbauelementen
8 DE112006000339T5 System für einen beschränkten Cache-Zugriff während des Datentransfers und Verfahren dazu
9 DE60127267T2 VERFAHREN UND GERÄT ZUR FEHLERENTDECKUNG FÜR EIN BEARBEITUNGSWERKZEUG UND STEUERUNG DAFÜR MIT EINER FORGESCHRITTENEN PROZESSSTEUERUNGSSTRUKTUR (APC)
10 DE112006000341T5 System mit einem Cache-Speicher und Verfahren zum Zugreifen
11 DE10355573B4 Verfahren zum Erhöhen der Produktionsausbeute durch Steuern der Lithographie auf der Grundlage elektrischer Geschwindigkeitsdaten
12 DE112006000270T5 Arbeitspuffer zum Speichern von Schleifenfilterzwischendaten
13 DE112006000271T5 Arbeitspuffer zum Speichern von Schleifenfilterzwischendaten
14 DE102006025408A1 Verfahren zur Steigerung des Transistorsleitungsvermögens durch Dotierstoffaktivierung nach der Silizidierung
15 DE102006025407A1 Verfahren und System zum dynamischen Ändern der Transportsequenz in einer Cluster-Anlage
16 DE102006025406A1 Verfahren und System zum Steuern von Prozessanlagen durch Unterbrechen von Prozessaufgaben in Abhängigkeit von der Aufgabenpriorität
17 DE102006025352A1 Verfahren und System zum Bestimmen der Auslastung von Prozessanlagen in einer Fertigungsumgebung auf der Grundlage von Eigenschaften eines automatisierten Materialhandhabungssystems
18 DE102006025365A1 Verfahren und Teststruktur zum Abschätzen von Elektromigrationseffekten, die durch poröse Barrierenmaterialien hervorgerufen werden
19 DE102006025351A1 Teststruktur zur Überwachung von Leckströmen in einer Metallisierungsschicht
20 DE102005052053B4 Verfahren zur Herstellung einer Ätzstoppschicht für eine Metallisierungsschicht mit verbesserter Ätzselektivität und besserem Einschlussverhalten
21 DE102006025405A1 Metallisierungsschicht eines Halbleiterbauelements mit unterschiedlich dicken Metallleitungen und Verfahren zur Herstellung
22 DE102005014793B4 Verfahren und Inspektionssystem zur CD-Messung auf der Grundlage der Bestimmung von Flächenanteilen
23 EP1399824 VERWENDUNG VON TYPENBIT ZUR VERFOLGUNG DER SPEICHERUNG VON ECC- UND VORDEKODIERUNGSBIT IN EINEM CACHE DER EBENE 2
24 DE112005002672T5 Dynamische Neukonfiguration eines Cache-Speichers
25 DE102006019937A1 SOI-Transistor mit eingebetteter Verformungsschicht und einem reduzierten Effekt des potentialfreien Körpers und ein Verfahren zur Herstellung des Transistors
26 DE10355584B4 Datenverarbeitungssystem, computerlesbares Speichermedium und Verfahren zum Steuern einer Datenübertragung zu und/oder von einem WLAN-Gerät
27 DE102006019836A1 Verfahren zum Reduzieren von Siliziddefekten durch Entfernen von Kontaminationsstoffen vor der Drain/Source-Aktivierung
28 DE102006019881A1 Technik zur Herstellung einer Siliziumnitridschicht mit hoher intrinsischer kompressiver Verspannung
29 DE102006019935A1 SOI-Transistor mit reduziertem Körperpotential und ein Verfahren zur Herstellung
30 EP1434232 SPEICHERZELLE
31 EP1388065 VERFAHREN UND SYSTEM ZUR SPEKULATIVEN UNGÜLTIGKEITSERKLÄRUNG VON ZEILEN IN EINEM CACHESPEICHER
32 DE102006015096A1 Verfahren zur Verringerung der durch Polieren hervorgerufenen Schäden in einer Kontaktstruktur durch Bilden einer Deckschicht
33 DE102006015077A1 Technik zur Bereitstellung von Verspannungsquellen in Transistoren in unmittelbarer Nähe zu einem Kanalgebiet durch Vertiefen von Drain- und Source-Gebieten
34 DE102006015089A1 System und Verfahren zur Scheibenhandhabung in Halbleiterprozessanlagen
35 DE102006015076A1 Halbleiterbauelement mit SOI-Transistoren und Vollsubstrattransistoren und ein Verfahren zur Herstellung
36 DE112005002173T5 Prozessor mit Abhängigkeitsmechanismus, um vorherzusagen, ob ein Ladevorgang von einem älteren Schreibvorgang abhängig ist
37 EP1817677 USB-FÜR-UNTERWEGS-STEUERUNG
38 EP1226498 SCHNELL MULTITHREADING FÜR ENG GEKOPPELTE MULTIPROZESSOREN
39 DE112005002576T5 Fehlererkennungssystem und Verfahren auf der Grundlage einer gewichteten Hauptkomponentenanalyse
40 DE112004000658T5 Verfahren zum Programmieren einer Doppelzellenspeichereinrichtung zur Speicherung von Mehrfach-Datenzuständen pro Zelle
41 DE69933235T2 ZWISCHENSCHICHT ZWISCHEN TITANNITRID UND HIGH DENSITY PLASMA OXID
42 DE112005002817T5 Disponierung der Materialaufnahme und Abgabe durch ein AMHS vor dem disponierten Zeitpunkt
43 DE102006009247A1 System und Verfahren zum Abschätzen der Kristallstruktur gestapelter Metallleitungen in Mikrostrukturen
44 DE102006009248A1 Verfahren und System zur Modellierung eines Produktstromes in einer Fertigungsumgebung durch Prozess- und Anlagenkategorisierung
45 DE112005002474T5 Verfahren und System zum dynamischen Einstellen der Messdatennahme auf der Grundlage der verfügbaren Messkapazität
46 EP1807754 GEMEINSAME NUTZUNG VON ÜBERWACHTEN CACHE-LEITUNGEN ÜBER MEHRERE KERNE
47 DE102006009224A1 Auswahl eines Testalgorithmus in einer Steuerung für eingebauten Speicherselbsttest
48 DE102006004412B3 Verfahren zum Erhöhen der Ätzselektivität in einer Kontaktstruktur in Halbleiterbauelementen
49 DE112005002286T5 Steuern von Speicherbauelementen mit variablen Widerstandseigenschaften
50 DE102005035735B4 Verfahren und System zum Abschätzen eines Zustands einer nicht initialisierten fortschrittlichen Prozesssteuerung durch Anwendung unterteilter Steuerungsdaten
51 DE102006004413A1 Verfahren und System zum Disponieren eines Produktstromes in einer Fertigungsumgebung durch Anwendung eines Simulationsprozesses
52 DE102006004408A1 Verfahren und System zum Analysieren von standardmäßigen Anlagennachrichten in einer Fertigungsumgebung
53 EP1397809 SPEICHERVORRICHTUNG MIT EINEM SICH SELBST EINBAUENDEN POLYMER UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DERSELBEN
54 DE102006004409A1 SRAM-Zelle mit selbststabilisierenden Transistorstrukturen
55 DE102006004411A1 Verfahren und System für die Messdatenbewertung in der Halbleiterbearbeitung durch auf Korrelation basierende Datenfilterung
56 DE102006004430A1 Verfahren und System für eine fortschrittliche Prozesssteuerung in einem Ätzsystem durch Gasflusssteuerung auf der Grundlage von CD-Messungen
57 DE102006004429A1 Halbleiterbauelement mit einem Metallisierungsschichtstapel mit einem porösen Material mit kleinem
58 DE102006004428A1 Technik zum zerstörungsfreien Überwachen der Metallablösung in Halbleiterbauelementen
59 DE102005063092B3 Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur mit erhöhter Ätzselektivität
60 DE102005063131A1 Verfahren zum Reduzieren von Leckströmen, die durch eine Fehljustierung einer Kontaktstruktur hervorgerufen werden, durch Erhöhen einer Fehlertoleranz des Kontaktstrukturierungsprozesses
61 DE102005063129A1 Grabenisolationsstruktur für ein Halbleiterbauelement mit reduzierter Seitenwandverspannung und Verfahren zur Herstellung desselben
62 DE102005063130A1 Grabenisolationsstruktur mit unterschiedlicher Verspannung
63 DE102005063108A1 Technik zur Herstellung eines Isolationsgrabens als eine Spannungsquelle für die Verformungsverfahrenstechnik
64 DE102005063089A1 Verfahren zum Reduzieren der Kontaminierung durch Vorsehen einer Ätzstoppschicht am Substratrand
65 DE102006001257A1 Automatisiertes Zustandabschätzungssystem für Cluster-Anlagen und Verfahren zum Betreiben des Systems
66 DE102005052000B3 Halbleiterbauelement mit einer Kontaktstruktur auf der Grundlage von Kupfer und Wolfram
67 DE69932066T2 MECHANISMUS ZUR "STORE-TO-LOAD FORWARDING"
68 DE102004047677B4 Verfahren und System für die Kontaminationserkennung und Überwachung in einer Lithographiebelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben der gleichen unter gesteuerten atomsphärischen Bedingungen
69 DE102005057061B3 Verfahren zum Entfernen einer Passivierungsschicht vor dem Abscheiden einer Barrierenschicht in einer Kupfer-metallisierungsschicht
70 DE69835159T2 MIKROPROZESSOR MIT Extremwertbefehlen und Vergleichsbefehlen
71 DE102005035735A1 Verfahren und System zum Abschätzen eines Zustands einer nicht initialisierten fortschrittlichen Prozesssteuerung durch Anwendung unterteilter Steuerungsdaten
72 DE10303925B4 Dielektrische Barrierenschicht für eine Kupfermetallisierungsschicht mit einer über die Dicke hinweg variierenden Siliziumkonzentration und Verfahren zu deren Herstellung
73 DE102005057072A1 Halbleiter mit einem Metallisierungsstapel auf Kupferbasis mit einer letzten Aluminiummetallleitungsschicht
74 DE102005057075A1 Halbleiterbauelement mit einer Kupferlegierung als Barrierenschicht in einer Kupfermetallisierungsschicht
75 DE102005057076A1 Technik zum Verbessern der Haftung von Metallisierungsschichten durch Vorsehen von Platzhalterkontaktdurchführungen
76 DE102005057057A1 Verfahren zur Herstellung einer isolierenden Deckschicht für eine Kupfermetallisierungsschicht unter Anwendung einer Silanreaktion
77 DE112005000775T5 Halbleiter-auf-Isolator-Substrat und daraus hergestellte Bauelemente
78 DE112004001247B4 Auswahl der Anfangsverstärkung für drahtlosen Empfänger
79 DE102005052054A1 Technik zur Bereitstellung mehrerer Quellen für mechanische Spannungen in NMOS- und PMOS-Transistoren
80 DE10224164B4 Eine zweidimensionale Struktur zum Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit mittels Streuungsmessung
81 DE102005052052A1 Ätzstoppschicht für Metallisierungsschicht mit verbesserter Haftung, Ätzselektivität und Dichtigkeit
82 DE102005052053A1 Ätzstoppschicht für eine Metallisierungsschicht mit verbesserter Ätzselektivität und besserem Einschlussverhalten
83 DE10219359B4 Vorrichtung und Verfahren mit einem Queuemechanismus
84 DE112005001428T5 System zum Steuern eines Datenverarbeitungssystems für Mehrzweckmedienzugriff
85 DE112005001420T5 Mehrzweckmedienzugriff-Datenverarbeitungssystem
86 DE102005052056A1 Datenanalyse-Visualisierung mit Hyperlink zu externem Inhalt
87 DE60027596T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR DATENPROBENPUFFERUNG IN EINEM SOFTWARE-BASIERTEN ADSL MODEM
88 DE102005052055B3 Eingebettete Verformungsschicht in dünnen SOI-Transistoren und Verfahren zur Herstellung desselben
89 DE10219363B4 Verfahren für eine fortschrittliche Prozesssteuerung für einen Herstellungsvorgang für mehrere Produkte mit minimierter Steuerungsbeeinträchtigung nach erneuter Initialisierung bei Auftreten von Resetereignissen
90 DE102005046975A1 Technik zur Herstellung einer kupferbasierten Metallisierungsschicht mit einer leitenden Deckschicht
91 DE112004002848T5 System und Verfahren zum Validisieren einer Speicherdatei, die spekulative Ergebnisse von Ladeoperationen mit Registerwerten verknüpft
92 DE102005046973A1 Struktur und Verfahren zum gleichzeitigen Bestimmen einer Überlagerungsgenauigkeit und eines Musteranordnungsfehlers
93 DE102005046976A1 Verfahren zur Herstellung einer Wolframverbindungsstruktur mit verbesserter Seitenwandbedeckung der Barrierenschicht
94 DE10234990B4 Hostcontroller, Verfahren zum Betreiben, zugehöriges Southbridgebauelement und Computersystem zur Steuerung der Ersetzung im voraus geholter Deskriptoren in einem Cache
95 DE102005041310B3 Technik zum Reduzieren von Siliziddefekten durch Verringern der nachteiligen Auswirkungen eines Teilchenbeschusses vor der Silizidierung
96 DE102005041312A1 Speicherzugriff auf virtuelles Targetgerät
97 DE112005001008T5 Verfahren und Vorrichtung zum Wortleitungsschutz in Flash-Speichereinrichtungen
98 DE69931656T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SiON/SiO2 DIELEKTRISCHEN ZWISCHENSCHICHT MIT EINER NACHBEHANDLUNG DER CVD SILIZIUM OXYNITRIDSCHICHT
99 DE69736404T2 ABHÄNGIGKEITSTABELLE ZUM REDUZIEREN VON HARDWARE ZUR ÜBERPRÜFUNG VON ABHÄNGIGKEITEN
100 DE102005035728B3 Verfahren zum Reduzieren der Kontamination durch Entfernung eines Zwischenschichtdielektrikums von dem Substratrand
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