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No Patent No Titel
1 DE102007031489A1 Vorrichtung und Verfahren zum Steuern einer Treiberstärke
2 DE112005003449A5 Testverfahren und Herstellungsverfahren für eine aus Teilschaltungen zusammengesetzte Halbleiterschaltung
3 DE102006028655A1 Verfahren und Vorrichtung zur Frequenzermittlung
4 EP1858021 Phasenwechselspeicher mit Wärmestrahlungssensor
5 DE69837585T2 Verbesserte Techniken zur Bildung elektrisch programmierbarer Sicherungen auf einer integrierten Schaltung
6 DE102006028954A1 Speichereinrichtung und Verfahren zur Herstellung einer Speichereinrichtung
7 DE102006019940B3 Speicherzellenfeld von nicht-flüchtigen Halbleiterspeicherzellen mit Minoritätsträgersenke
8 EP1854104 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER DÜNNSCHICHT-STRUKTUR
9 DE102006040960A1 Flipchip-Bauelement, Multichip-Bauelement sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Multichip-Bauelementes
10 EP1412948 MAGNETISCHE SPEICHEREINHEIT UND MAGNETISCHES SPEICHERARRAY
11 DE102007019519A1 Verfahren und Vorrichtung zur Temperaturkompensation einer Chipausgangs-Treiberschaltung (OCD)
12 DE102004010370B4 Integrationssystem und -Verfahren für mehrere Verzögerungs-Regelschleifen
13 DE102006041018B3 Speicherschaltung
14 DE102005040109B4 Halbleiterspeicherchip
15 DE102006028811A1 Verfahren zum Aufbringen von Lot auf Umverdrahtungsleitungen
16 DE102006026886A1 Vorrichtung zum Filtern von Signalen
17 DE60314279T2 2T2C-SIGNALRAUMTESTMODUS UNTER VERWENDUNG EINES RESISTIVEN ELEMENTS
18 DE102005053486B4 Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines n-Bit Ausgangszeigers, Halbleiterspeicher und Verfahren
19 DE102004051152B4 NOR-Speicheranordnung von resistiven Speicherelementen
20 EP1546217 PENTAARYLCYCLOPENTADIENYLEINHEITEN ALS AKTIVE EINHEITEN IN RESISTIVEN SPEICHERELEMENTEN
21 DE69936119T2 Verschachtelte Bewerterschaltung mit einseitiger Vorladungsschaltung
22 DE102007027024A1 Speichersystem mit einer Zeitsteuerschaltung und ein Verfahren zum Austauschen von Daten und Taktsignalen zwischen einer Speichersteuereinheit und einem Speicherbauelement
23 DE102006025956B3 Nicht-flüchtiges Speicherzellenfeld
24 DE112005003106T5 Puffertyp für einen Multi-Rank Dual Inline Memory Module bzw. Mehrrang-Doppelreihenanschluss-Speichermodul (DIMM)
25 EP1850477 Operationsverstärker
26 DE112005002691T5 Speicherzugriff unter Verwendung mehrerer Sätze von Adress-/Datenleitungen
27 DE102006023196B3 Verfahren und Vorrichtung zum Einstellen von gerätespezifischen Auswerteparametern
28 DE102006024741A1 Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung, Masken zur Herstellung einer Vorrichtung und Vorrichtung
29 EP1433181 STROMQUELLE UND DRAINANORDNUNG FÜR MAGNETORESITIVE SPEICHER
30 EP1847999 Schaltung und Verfahren zur Bestimmung des resistiven Status einer resistiven Speicherzelle
31 DE102004015597B4 Halbleitervorrichtung mit schützender Gehäusestruktur
32 DE102007018622A1 Layout-Zellen, Layout-Zellenanordnung, Verfahren zum Erzeugen einer Layout-Zelle, Verfahren zum Erzeugen einer Layout-Zellenanordnung, Computerprogrammprodukte
33 DE10146931B4 Verfahren und Anordnung zum Ersetzen fehlerhafter Speicherzellen in Datenverarbeitungsvorrichtungen
34 DE102007021617A1 Signalverarbeitungsschaltung
35 DE102007024192A1 Verfahren und Vorrichtung für Speichermodule
36 DE102007019548A1 Ein Verfahren und eine Vorrichtung zur frühzeitigen Schreibbeendigung bei einem Halbleiterspeicher
37 EP1634297 KOMBINATION VON EIGEN- UND FORMANISOTROPIE ZWECKS REDUZIERTER UMSCHALTFELDFLUKTUATIONEN
38 DE102007013760A1 Filterung der Bitposition in einem Speicher
39 DE10156358B4 Vorrichtung und Verfahren zum Übertragen von Fehlerinformationen, die beim Testen eines Speicherbausteins für eine nachfolgende Redundanzanalyse erhalten werden, in einen Fehlerspeicher
40 DE102007017252A1 Phasenwechselspeicher
41 DE102007021307A1 Speichermodul und Verfahren zur Herstellung und zur Verwendung
42 DE102007019577A1 Separater Leseverstärker-Vorladeknoten in einem Halbleiterspeicherbauelement
43 DE102007013761A1 Speicher mit einem Schreibtrainingsblock
44 EP1627392 SCHALTUNGSKONFIGURATION FÜR EINEN STROMSCHALTER EINER BIT-/WORTLEITUNG EINES MRAM-BAUSTEINS
45 DE10243742B4 Verfahren zur Strukturierung von Halbleitersubstraten unter Verwendung eines Fotoresists
46 DE10331543B4 Verfahren zum Testen einer zu testenden Schaltungseinheit und Schaltungsanordnung zur Durchführung des Verfahrens
47 DE112005003012T5 Direktzugriffsspeicher mit Prüfschaltung
48 DE102006021043A1 Halbleiter-Bauelement, insbesondere Zwischenspeicher-Bauelement, sowie Verfahren zum Betreiben eines Halbleiter-Bauelements
49 DE102007016309A1 Verfahren zur DDR-Empfängerleseresynchronisation
50 DE102007012177A1 Speicher mit einem Temperatursensor, dynamischer Speicher und Speicher mit einer Takteinheit sowie Verfahren zum Abtasten einer Temperatur eines Speichers
51 DE102006019426A1 Speichermodulsteuerung, Speichersteuerung und entsprechende Speicheranordnung sowie Verfahren zur Fehlerkorrektur
52 EP1835509 Speicherzelle, Speicher mit einer Speicherzelle und Verfahren zum Einschreiben von Daten in eine Speicherzelle
53 DE102007019545A1 Dateninversionsvorrichtung und -verfahren
54 DE102006028107A1 Schaltkreis und Verfahren zum Ermitteln des Resistiv-Zustands einer resistiven Speicherzelle
55 DE102007012781A1 Speicherarray mit hoher Dichte zur Niedrigenergie-Anwendung
56 DE102007016318A1 Belastungszykluskorrektor
57 DE102007013759A1 Speicher mit einer Ausgangszeigerschaltung
58 DE102006017947A1 Speicherbaustein, entsprechende Baugruppe sowie entsprechendes Herstellungsverfahren
59 DE102007002285A1 Halbleiterspeichermodul
60 DE102006016499A1 Speichermodulsteuerung, Speichersteuerung und entsprechende Speicheranordnung sowie Verfahren zur Fehlerkorrektur
61 DE102007013405A1 Verfahren und integrierte Schaltung zum Steuern eines Oszillatorsignals
62 DE10345981B4 Schaltungsvorrichtung zur Datenverarbeitung und Verfahren zum Verbinden eines Schaltungskernmoduls mit einem externen Schaltungsmodul
63 DE102007007854A1 Verfahren und Vorrichtung für einen Oszillator in einem Speicherbaustein
64 DE102007011128A1 Integrierter Halbleiterspeicher
65 EP1830362 Mittels selbstausrichtendem Verfahren hergestellter Phasenwechselspeicher
66 EP1829041 SPEICHERZUGANG UNTER VERWENDUNG MEHRERER AKTIVIERTER SPEICHERZELLENZEILEN
67 DE102007010242A1 Verfahren zum Diffusionslöten
68 DE102007013317A1 Paralleles Lesen für Eingangskomprimierungsmodus
69 DE10153751B4 Vorrichtung und Verfahren zur Takterzeugung
70 DE60216794T2 VERFAHREN ZUR ERZEUGUNG ELLIPTISCHER UND ABGERUNDETER MUSTER MITTELS STRAHLFORMUNG
71 DE102007010553A1 Elektrisches System mit Treiber, das eine erste Treiberstärke und eine zweite Treiberstärke bereitstellt
72 DE102007010584A1 Handhabung von unzulässigen Befehlen auf der Befehlsdecoderstufe
73 DE60032378T2 KORREKTURMASKE MIT LICHT ABSORBIERENDEN PHASENVERSCHIEBUNGSZONEN
74 DE102005035445B4 Nichtflüchtige, resistive Speicherzelle auf der Basis von Metalloxid-Nanopartikeln sowie Verfahren zu deren Herstellung und entsprechende Speicherzellenanordnung
75 DE102004008500B4 Verfahren zum Ermitteln einer Strahlungsleistung und eine Belichtungsvorrichtung
76 DE69934388T2 Einstellbare Leistungstreiberschaltung und zugehöriges Einstellungsverfahren
77 DE102006012755A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen
78 DE102006057946A1 Taktrückgewinnungsschaltung und Speicherbaustein, der diese verwendet
79 DE602004002300T2 SELEKTIVE BANKAUFFRISCHUNG
80 EP1509923 FERROELEKTRISCHE SPEICHERANORDNUNG MIT VERBESSERTER AUSFALLSICHERHEIT UND HOEHERER SPEICHERDICHTE
81 DE102005003390B4 Substrat für ein FBGA-Halbleiterbauelement
82 DE102007009817A1 Halbleiterspeichermodul und elektronische Vorrichtung, ein Halbleiterspeichermodul umfassend, und Verfahren zu dessen Betrieb
83 DE102005046736B4 Vorrichtung und Verfahren zum Beladen einer Sockel- bzw. Adapter-Einrichtung mit einem entsprechenden Halbleiter-Bauelement
84 DE69836184T2 Zuverlässige Polycid Gatterstappelung mit reduzierten Schichtwiderstand
85 DE202007007441U1 Halbleiterspeichermodul
86 DE102006031038A1 Speicheranordnung
87 DE102007006191A1 Speichermodulvorrichtung
88 DE112006000072T5 Phasenwechselspeicherzelle, die durch ein Strukturschrumpfungsmaterialverfahren definiert wird
89 DE102007003593A1 Latenzschaltung für Halbleiterspeicher
90 EP1500109 REDUNDANZ FÜR KETTENSPEICHERARCHITEKTUREN
91 DE102006048970A1 Gezieltes automatisches Auffrischen für einen dynamischen Direktzugriffsspeicher
92 DE102006048972A1 Gezieltes automatisches Auffrischen für einen dynamischen Direktzugriffsspeicher
93 DE102007002192A1 Lokalwortleitungstreiberschema, um Ausfälle aufgrund einer schwebenden Wortleitung bei einem Segmentiert-Wortleitung-Treiberschema zu vermeiden
94 DE102006060803A1 Schreib-Burst-Stoppfunktion in einem leistungsarmen DDR-SDRAM
95 DE102007003583A1 Transistor, Speicherzelle und Verfahren zum Herstellen eines Transistors
96 DE102007004008A1 Verfahren zur Datenübertragung zwischen verschiedenen Taktdomänen, entsprechende Vorrichtung und entsprechendes Speichermodul
97 DE102007004713A1 Datenübergabeeinheit zum Übertragen von Daten zwischen unterschiedlichen Taktbereichen
98 DE102007003584A1 Phasendetektor
99 DE102007003179A1 Verfahren zum Systembooten mit Direktspeicherzugriff bei einer neuen Speicherarchitektur
100 DE102006062048A1 Leseschaltung für resistiven Speicher
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