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No Patent No Titel
1 EP1598831 Verbesserter Seitenspeicher für eine programmierbare Speichervorrichtung
2 DE102007001157A1 Verfahren zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen
3 DE102006057378A1 Halbleiterbauelement mit fixierten Kanalionen
4 EP0716379 Vorrichtung und Verfahren zur Spannungssteuerung einer Schnittstelle
5 DE102007001075A1 Multiport-Speichervorrichtung mit serieller Eingabe-/Ausgabe-Schnittstelle und Steuerverfahren davon
6 DE102006062023A1 Testbetrieb einer Multiport-Speichervorrichtung
7 DE102006062024A1 Halbleiterspeichervorrichtung
8 DE102006061753A1 Halbleiterspeichereinheit mit Temperaturfühleinrichtung und deren Betrieb
9 EP1583102 Sequenzielles Schreib-Prüfverfahren mit Ergebnisspeicherung
10 DE102006029703A1 Dynamischer Halbleiterspeicher mit verbessertem Wiederauffrischungsmechanismus
11 DE19650715B4 Unterwortleitungstreiberschaltung und diese verwendende Halbleiterspeichervorrichtung
12 DE102006045255A1 Vorrichtung und Verfahren zur Steuerung einer Signalterminierung auf dem Chip
13 DE102006045254A1 Verzögerungsregelschleife für Hochgeschwindigkeits-Halbleiterspeichervorrichtung
14 DE102006045248A1 Multiport-Speichervorrichtung mit serieller Eingabe-/Ausgabeschnittstelle
15 DE102006029962A1 Halbleiterspeichervorrichtung
16 DE102006030374A1 Interner Signalgenerator zur Verwendung in einer Halbleiterspeichereinrichtung
17 DE102006030377A1 Verzögerungsregelschleifenschaltung
18 DE102006030373A1 Halbleiterspeichervorrichtung
19 EP1750277 Konfigurierung eines Multibit-Flashspeichers
20 EP1750278 Verfahren zur Programmierung einer Flash-Speichervorrichtung mit vier Zuständen und entsprechender Seitenspeicher
21 EP1748445 Seitenspeicher für programmierbare Multipegel-NAND-Speicher
22 EP1748446 Zweiseitenprogrammierung
23 EP1748443 Halbleiterspeicher und sein Seitenpufferspeicher mit verbessertem Layout
24 DE102006012772A1 Halbleiterspeicherbauelement mit dielektrischer Struktur und Verfahren zur Herstellung desselben
25 EP1746605 Leseverfahren für einen NAND-Speicher und NAND-Speichervorrichtung
26 EP1746604 Verfahren zum Zugreifen auf eine nichtflüchtige Mehrpegelspeichervorrichtung vom Typ FLASH NAND
27 EP1729302 Schaltung zur Ermittlung von in Halbleiterspeicherzellen gespeicherten Daten.
28 DE102005062965A1 Kondensator mit dielektrischer Nanokomposit-Schicht und Verfahren zur Herstellung desselben
29 EP1724784 Hochspannungsschalter mit niedriger Welligkeit im Ausgang für nicht-flüchtigen Schwebegatespeicher
30 DE102005030063A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
31 DE10228774B4 Verfahren zum Bilden feiner Muster in Halbleiteranordnungen
32 DE10225925B4 Ätzverfahren unter Verwendung einer Photolack-Ätzbarriere
33 DE102005031702A1 Transistorstruktur eines Speicherbauelements und Verfahren zur Herstellung desselben
34 DE102005030940A1 Verfahren zum Bilden eines Kontakts eines Halbleiterbauelements durch Verwendung eines Festphasenepitaxieprozesses
35 DE102005030065A1 Festphasenepitaxie verwendendes Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
36 DE102006003583A1 Spaltenpfadschaltung
37 DE102005028642A1 Flash-Speicherbauelemt mit verbesserter Löschfunktion und Verfahren zur Steuerung einer Löschoperation desselben
38 DE102005033662A1 Flash-Speicher vom Vielfachebenentyp und Verfahren zum Steuern von Programm- und Leseoperationen für denselben
39 DE102005029875A1 Flash-Speichervorrichtung mit verbesserter Vorprogammierfunktion und Verfahren zum Steuern eines Vorprogrammierbetriebs darin
40 DE102005031904A1 Ausgangstreiber für Halbleitervorrichtung
41 DE102005022768A1 Speichereinrichtung, welche in der Lage ist, den Datenausgangsmodus zu verändern
42 DE102005017534A1 Nichtflüchtige ferroelektrische Speichervorrichtung
43 DE102005017533A1 Nichtflüchtige ferroelektrische Speichervorrichtung
44 DE102005010906A1 Taktsignalerzeugungsvorrichtung zur Verwendung in einer Halbleiterspeichervorrichtung und ihr Verfahren
45 DE102005026900A1 Blockgrößenänderungsfähige NAND-Flash-Speichervorrichtung
46 DE102005038087A1 Oberstes Antireflektions-Beschichtungspolymer, sein Herstellungsverfahren und oberste Antireflektions-Beschichtungszusammensetzungen, die selbiges umfassen
47 DE102005028629A1 Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
48 DE102005021988A1 Verfahren zur Herstellung eines Flash-Speicherbauelements
49 DE102005020894A1 Verfahren zum Auffrischen einer Speichervorrichtung, welche PASR und stapel-artige Auffrischungsschematas aufweisen
50 DE102005022481A1 Löschprüfverfahren einer Flash-Speichervorrichtung in NAND-Ausführung und dessen Flash-Speichervorrichtung in NAND-Ausführung
51 DE102005015806A1 Verfahren zum Lesen einer Flash-Speichervorrichtung
52 DE102005020895A1 Oszillator einer Halbleiterspeichereinrichtung
53 DE102005029874A1 Halbleiterspeichervorrichtung mit integrierter Abschlussschaltung
54 DE102005022372A1 Verfahren zur Bildung eines Source-Kontakts eines Flash-Speicherbauelements
55 DE102005022371A1 Verfahren zur Bildung einer Metallleitung in einem Halbleiterspeicherbauelement
56 DE102004060691A1 Flash-Speichersystem und Löschverfahren desselben
57 DE102004060692A1 Verfahren zum Bilden einer dielektrischen Schicht in einem Halbleiterbauelement
58 DE102004060348A1 Halbleiterspeichervorrichtung und Gehäuse dazu, und Speicherkarte mit Verwendung derselben
59 DE19840930B4 Digital/Analog-Wandler und Treiberschaltkreis für eine Flüssigkristallanzeige
60 DE102005019683A1 Verfahren zur Bildung einer Passivierungsschicht in einem Halbleiterbauelement
61 DE102004063025A1 Speicherbauelement und Verfahren zur Herstellung desselben
62 DE102004063643A1 Ionenimplantationsvorrichtung und Verfahren zum Implantieren von Ionen durch Verwendung derselben
63 DE102004060447A1 Flashspeicherbauelement und Verfahren zum Löschen einer Flashspeicherzelle desselben
64 DE69733047T2 Getrennte Setz-/Rücksetzwege für zeitkritische Signale
65 DE102004060442A1 Verfahren zum Bilden einer Passivierungsschicht eines Halbleiterbauelements und Struktur einer Passivierungsschicht eines Halbleiterbauelements
66 DE102004062424A1 Gatestruktur eines Halbleiterspeicherbauelements
67 DE102004060349A1 Seitenpuffer einer nichtflüchtigen Speichervorrichtung und Verfahren zum Programmieren und Lesen einer nichtflüchtigen Speichervorrichtung
68 EP1610343 Verbesserter Seitenspeicher für eine programmierbare Speichervorrichtung
69 DE102004060444A1 Verfahren zum Bilden einer Polysiliziumschicht in einem Halbleiterbauelement
70 DE102004063246A1 Flüssige Zusammensetzung für die Immersions-Lithographie und Lithographieverfahren unter Verwendung derselben
71 DE102004030931A1 NAND-Flash-Speicherbauelement und Verfahren zum Lesen desselben
72 DE19757636B4 Datenübertragungs-Verfahren und -Vorrichtung in einem Pulsamplitudenmodulations-Kommunikationssystem
73 DE102004032477A1 Transistor einer nicht flüchtigen Speichervorrichtung mit einer dielektrischen Gatestruktur, welche fähig zum Einfangen von Ladungen ist, und ein Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung
74 DE102004060440A1 Verfahren zum Bilden einer Oxidschicht in einem Halbleiterbauelement
75 DE102004032689A1 Halbleiterspeichereinrichtung, welche einen hochentwickelten Testmodus besitzt
76 DE4427052B4 Referenzspannungsgenerator
77 DE102004010353A1 Einschalt-Schaltung in einer Halbleiterspeichervorrichtung
78 DE102004060571A1 Vorrichtung zum Anpassen einer Anstiegsgeschwindigkeit in einer Halbleiterspeichervorrichtung und ein zugehöriges Verfahren
79 DE102004050080A1 Halbleiterspeichervorrichtung mit Spaltenadresspfad darin zur Energieverbrauchsreduzierung
80 DE10361676A1 Halbleiterbaugruppe, welche auf einem Chip einen Referenzspannungsgenerator besitzt
81 DE19854188B4 Digitales Interpolationsfilter für einen Audio-Codec
82 DE10300690B4 Digitale DLL-Vorrichtung zum Korrigieren des Tastverhältnisses und dessen Verfahren
83 DE102004031448A1 Verzögerungsregelkreis und dessen Verfahren zum Takterzeugen
84 DE10392539T5 Speicherchiparchitektur mit nichtrechteckigen Speicherbänken und Verfahren zum Anordnen von Speicherbänken
85 DE10361038A1 Differenzverstärker und Bitleitungs-Leseverstärker, der denselben übernimmt
86 DE19818020B4 Signalkomprimierungsschaltung
87 DE102004031452A1 Datenausgangstreiber
88 DE102004032690A1 Halbleiterspeichervorrichtung, welche in der Lage ist, die Impedanz eines Datenausgangstreibers einzustellen
89 DE10361718A1 Vorrichtung und Verfahren zum Steuern von nicht flüchtigem DRAM
90 DE10361674A1 Nicht-Flüchtiger dynamischer Schreib/Lese-Speicher
91 DE10392198T5 Erhöhen einer Auffrischperiode (Refresh Period) in einer Halbleiterspeichervorrichtung
92 DE10361662A1 Halbleiterspeichereinrichtung, welche eine hochentwickelte Instandsetzungsschaltung besitzt
93 DE10361692A1 Speichervorrichtung mit Testmodus zum Steuern einer Bitleitungs-Erfassungsspannenzeit
94 DE10361719A1 Drain-Pumpe für Flash-Speicher
95 DE69726233T2 Taktschema
96 DE10343564A1 Verfahren zum Herstellen eines Oxinitridfilms
97 DE10335065A1 Nicht flüchtige Speichereinrichtung
98 DE10346608A1 Herstellverfahren für ein Halbleiterbauteil
99 DE69725078T2 Ladungspumpenschaltung für ein Halbleiter-Substrat
100 DE10330796A1 Registergesteuerter Delay Locked Loop mit Beschleunigungsmodus
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