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Memc Electronic Materials, Inc., St. Peters, Mo., US - Patente
 
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No Patent No Titel
1 DE60220939T2 VERFAHREN ZUR SCHRITTWEISEN ZUFÜHRUNG VON SILIZIUM UM DIE ABSCHMELZRATE VON POLYKRISTALLINEM SILIZIUM ZU ERHÖHEN
2 DE60127252T2 EPITAKTISCHER SILIZIUMWAFER FREI VON SELBSTDOTIERUNG UND RÜCKSEITENHALO
3 DE69933777T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON EINEM SILIZIUM WAFER MIT IDEALEM SAUERSTOFFAUSFÄLLUNGSVERHALTEN
4 DE69933681T2 UNGLEICHMÄSSIGE VERTEILUNG VON MINORITÄTSTRÄGER-LEBENSDAUERN IN SILIZIUM-HOCHLEISTUNGSBAUELEMENTEN
5 EP1768927 SYSTEME UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON KÖRNIGEM MATERIAL UND ZUR MESSUNG UND VERRINGERUNG VON STAUB IN KÖRNIGEM MATERIAL
6 DE60115078T2 MIT STICKSTOFF DOTIERTES SILIZIUM DAS WESENTLICH FREI VON OXIDATIONSINDUZIERTEN STAPELFEHLERN IST
7 DE69928434T2 WÄRMEBEHANDELTE SILIZIUMPLÄTTCHEN MIT VERBESSERTER EIGENGETTERUNG
8 DE69831618T2 Freistellenbeherrschendes Silizium mit niedriger Fehlerdichte
9 DE60106074T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILIZIUM MIT NIEDRIGER DEFEKTDICHTE MIT HOHER WACHSTUMRATE
10 DE60111071T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILICIUM MIT NIEDRIGER DEFEKTDICHTE
11 DE69824877T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SILIZIUMSCHMELZE VON EINEM POLYKRISTALLINEN SILIZIUMCHARGIERGUT
12 DE69824647T2 Silicium mit niedriger Fehlerdichte
13 DE69913731T2 IM WESENTLICHEN DEFEKTFREIE EPITAKTISCHE SILIZIUMSCHEIBEN
14 DE60005659T2 MIT BARIUM DOTIERTE SILIZIUMSCHMELZE ZUR VERWENDUNG IN EINEM KRISTALLZÜCHTUNGSVERFAHREN
15 DE60006713T2 VERFAHREN ZUM STEUERN DES WACHSTUMS EINES HALBLEITERKRISTALLS
16 DE69817365T2 SAUERSTOFFAUSDIFFUSIONSLOSES SAUERSTOFF-AUSFÄLLUNGSVERFAHREN IN SILIZIUMWAFER
17 DE60003800T2 MIT STRONTIUM DOTIERTER SILIZIUMSCHMELZE ZUR VERWENDUNG IN EINEM KRISTALLZÜCHTUNGSVERFAHREN
18 DE69908965T2 WÄRMEGETEMPERTES EINKRISTALLINES SILIZIUM MIT NIEDRIGER FEHLERDICHTE
19 DE69908800T2 KONTINUIERLICHES OXIDATIONSVERFAHREN FÜR EINE KRISTALLZIEHUNGSVORRICHTUNG
20 DE60003892T2 WOLFRAM-DOTIERTER TIEGEL UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
21 DE60003639T2 HITZESCHILD FÜR EINE KRISTALLZIEHUNGSVORRICHTUNG
22 DE69906812T2 VERFAHREN ZUM STAPELN UND SCHMELZEN VON POLYKRISTALLINEM SILIZIUM ZUR HERSTELLUNG VON HOCHQUALITÄTS-EINKRISTALLEN
23 DE69905193T2 VERFAHREN ZUR STEUERUNG DER ZÜCHTUNG EINES SILIZIUMKRISTALLES
24 EP1230447 VERFAHREN ZUM STEUERN DES WACHSTUMS EINES HALBLEITERKRISTALLS
25 DE69905605T2 VERFAHREN ZUR MESSUNG DER GRÖSSE VON POLYKRISTALLINENBRUCHSTÜCKEUND IHRER VERTEILUNG BEIM ZUFUHR IN EINEM CZOCHRALSKI VERFAHREN
26 DE69625852T2 Verfahren und Vorrichtung zum Kontrollieren des Wachsens eines Siliciumkristalles
27 DE69904639T2 VERFAHREN ZUR GENAUEN ZIEHUNG EINES KRISTALLES
28 EP1252375 VERFAHREN ZUR STEUERUNG DER ZÜCHTUNG EINES SILIZIUMEINKRISTALLES UM ZÜCHTUNGSGESCHWINDIGKEITS- UND DURCHMESSERSABWEICHUNGEN ZU MINIMIEREN
29 DE60001274T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR STEUERUNG DES DURCHMESSERS EINES SILIZIUMKRISTALLES IN EINEM ZÜCHTUNGSVERFAHREN
30 DE69806369T2 SILICIUM MIT NIEDRIGER FEHLERDICHTE UND IDEALEM SAUERSTOFFNIEDERSCHLAG
31 DE60000579T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR STEUERUNG DES KONUSWACHSTUMS IN EINEM HALBLEITERKRISTALLZÜCHTUNGSVERFAHREN
32 DE69807676T2 SELBSTINTERSTITIELL DOMINIERTES SILIZIUM MIT NIEDRIGER DEFEKTDICHTE
33 EP1133592 VERFAHREN ZUR STEUERUNG DER ZÜCHTUNG EINES SILIZIUMKRISTALLES
34 DE69804643T2 HITZESCHILDANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG SILICIUM-EINKRISTALLEN MIT VIELEN LEERSTELLEN
35 DE69711994T2 Verfahren und Vorrichtung zum Regeln der Planheit von polierten Halbleiterscheiben
36 DE69902911T2 WIDERSTANDSHEIZUNG FUR EINE KRISTALLZÜCHTUNGSVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER VERWENDUNG
37 DE69901183T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR HERSTELLUNG SILIZIUMKRISTALLEN MIT NIEDRIGEM METALLGEHALT
38 DE69902784T2 WIEDERSTANDSHEIZUNG FÜR EINE KRISTALLZIEHUNGSVORRICHTUNG
39 DE69901135T2 TIEGEL UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG
40 DE69901115T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG FEHLERFREIER SILIZIUMKRISTALLE VON WILLKÜRLICHEM GROSSEN DURCHMESSER
41 DE69902555T2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG FEHLERFREIER SILIZIUMKRISTALLE, WELCHES VARIABLE VERFAHRENSBEDINGUNGEN ZULÄSST
42 DE69900914T2 VERFAHREN ZUR ÜBERWACHUNG DER KONZENTRATION VON METALLISCHEN VERUNREINIGUNGEN IN EINER REINIGUNGSLÖSUNG FÜR WAFER
43 DE69900910T2 EINSPRITZVORRICHTUNG FÜR EINEN REAKTOR
44 DE69804020T2 KRISTALLZIEHUNGSVORRICHTUNG MIT SCHMELZDOTIERUNGSANLAGE
45 DE69803932T2 VERFAHREN UND ANLAGE ZUR STEUERUNG DER ZÜCHTUNG EINES SILIZIUMKRISTALLS
46 DE69806137T2 SILIZIUM MIT NIEDRIGER DEFEKTDICHTE
47 DE69900865T2 VORRICHTUNG ZUR BEWEGUNG EINER ABGASRÖHRE IN EINEM ZYLINDRISCHEN REAKTOR
48 DE69803198T2 VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON SILICIUM-EINKRISTALL OHNE ZÜCHTUNG EINES DASH-HALSES
49 DE69713529T2 Schnelle Kühlung einer CZ-Silizium-Einkristallzüchtungsvorrichtung
50 DE69802557T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR STEUERUNG DER ZÜCHTUNG EINES SILICIUMKRISTALLES
51 DE69802707T2 HITZESCHILD FÜR EINE KRISTALLZIEHUNGSVORRICHTUNG
52 DE69524404T2 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM POLIEREN EINER HALBLEITERSCHEIBE
53 DE69801903T2 FREISTELLENBEHERRSCHENDES SILICIUM MIT NIEDRIGER FEHLERDICHTE
54 EP1012357 VERFAHREN ZUR ZÜCHTUNG VON SILICIUM-EINKRISTALL OHNE ZÜCHTUNG EINES DASH-HALSES
55 DE69802008T2 VORRICHTUNG ZUR KRISTALLZIEHUNG
56 DE69613654T2 Vorrichtung zur Zuführung eines festen Werkstoffes in einen Ofen
57 EP1129331 VERFAHREN UND GERÄT ZUR IONENEXTRAKTION FÜR EINSEITIGEN WAFERS
58 EP1095252 KOLLEKTOR FÜR EIN AUTOMATISIERTES ON-LINE-BAD-ANALYSESYSTEM
59 EP1039986 VORRICHTUNG ZUM ABRICHTEN VON INNENLOCHSÄGEN
60 DE69608074T2 Kristallwachstumsvorrichtung mit einer Videokamera zur Steuerung des Wachstums eines Siliziumkristalls
61 EP0985060 SEKUNDÄRRANDREFLEKTOR FÜR EINEN HORIZONTALEN REAKTOR
62 EP0921098 Geschlossener Kreisprozess für die Herstellung von polykristallinem Silicium und pyrogenem Siliciumdioxid
63 DE69414652T2 Verbessertes Verfahren zur Bildung von Siliconkristallen
64 EP0824055 Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden eines Stabes
65 DE19638991A1 Schneidemaschine
66 EP0761597 Verfahren zum Entfernen von metallischen Verunreinigungen von polykristallinischen Siliziumoberflächen
67 DE19638990A1 Schneidemaschine
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