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No Patent No Titel
1 DE10042388B4 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher
2 DE19962509B4 Bitleitungsleseverstärker für eine Halbleiterspeicher-Vorrichtung
3 DE4419237B4 Verfahren zur Entfernung eines eine Siliciumverbindung oder eine Germaiumverbindung enthaltenden Photoresists
4 DE10046051B4 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher und Schaltung zum Betreiben desselben
5 DE19644767B4 Vorrichtung und Verfahren zur Bewegungsschätzung von Bildobjekten
6 DE19860799B4 Ferroelektrische Speichervorrichtung
7 DE19963417B4 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher
8 DE10003812B4 Schaltung zum Ansteuern eines nichtflüchtigen ferroelektrischen Speichers
9 DE19727424B4 Eingabepuffer für ein Halbleiterspeicherbauelement
10 DE19954845B4 Nichtflüchtige ferroelektrische Speicherzelle vom NAND-Typ, sowie nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher unter Verwendung einer solchen
11 DE10037706B4 Schaltung zum Betreiben eines nichtflüchtigen ferroelektrischen Speichers
12 DE10034699B4 Leseverstärker in einem nichtflüchtigen ferroelektrischen Speicher
13 DE10035108B4 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher
14 DE19549156B4 Datensignalverteilungsschaltung für ein Synchronspeicherelement
15 DE10038228B4 Zellenblockstruktur eines nichtflüchtigen ferroelektrischen Speichers
16 DE19952667B4 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher
17 DE19525745B4 Verfahren zur Bildung eines Abdeckungsmusters
18 DE19518953B4 Datenbusleitungsleseverstärkungseinrichtung
19 DE19709259B4 Mehrlagiges Bodenanschlussgehäuse
20 DE19727378B4 Leseverstärker eines Halbleiterspeicher-Bauelements
21 DE19821715B4 Gepacktes integriertes Schaltkreisbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
22 DE19629249B4 Verfahren zum Analysieren von Defekten von Halbleitereinrichtungen mit drei Dimensionen
23 DE19510449B4 Retikel
24 DE19654561B4 Speicherzellenfeld
25 DE19723432B4 Halbleiterspeicher-Bauelement mit Bänken
26 DE19503988B4 Halbleiterspeichervorrichtung
27 DE19600946B4 Verfahren zur Verbesserung der Qualität einer Titannitridschicht, die Kohlenstoff und Sauerstoff enthält
28 DE19629250B4 Verfahren zur Herstellung von Proben zur Analyse von Defekten von Halbleitereinrichtungen
29 DE19629251B4 Verfahren zum Herstellen von Proben zur Analyse von Defekten von Halbleitereinrichtungen
30 DE19727087B4 Synchroner graphischer Schreib/Lese-Speicher (RAM) mit Blockschreibsteuerfunktion
31 DE19611726B4 Blindstruktur zur Außeraxial-Belichtung
32 DE4243903B4 Wortleitung-Spannungsversorgungskreis
33 DE19727431C2 Verfahren und Vorrichtung zur Unterscheidung synchroner und asynchroner Zustände von Viterbi-dekodierten Daten
34 DE19611436C2 Verfahren zum Herstellen einer Belichtungsmaske
35 DE19654711C2 Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
36 DE4447250C2 Datenausgabepuffer
37 DE4435760C2 Niederleistungs-Hochgeschwindigkeits-Meßverstärker
38 DE4408758C2 Wortleitungs-Struktur in einer Halbleiterspeicher-Vorrichtung
39 DE4446405C2 Halbleiterspeichereinrichtung mit einem Vorladespannungsgenerator
40 DE19823700C2 Externe Anzeigevorrichtung für anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC)
41 DE19644495C2 Speichervorrichtung
42 DE19525439C2 Schaltung für eine Anzeigevorrichtung zum Sparen von Energie
43 DE10129263A1 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher und Verfahren zum Erfassen mangelhafter Zellen in diesem
44 DE10129262A1 Nichtflüchtiger ferroelektrischer Speicher und Verfahren zu dessen Ansteuerung
45 DE4439817C2 Selbstauffrischungsvorrichtung für eine verborgene Selbstauffrischung in einem synchronen dynamischen Direktzugriffsspeicher
46 DE4420417A1 Verfahren zur Herstellung einer Maske zur Erzeugung eines Musters auf einem Halbleiterbauelement
47 DE4419237A1 Verfahren zur Entfernung eines Photoresists mit einer Siliciumverbindung oder einer Germaniumverbindung
48 DE4105765A1 Dynamischer Schreib-/Lesespeicher (DRAM)
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